国家知识产权局信息显示，禾纳半导体（深圳）有限公司申请一项名为“功率MOSFET开关特性的动态测试方法及其相关设备”的专利，公开号CN121831449A，申请日期为2026年2月。

　　专利摘要显示，本申请涉及器件测试技术领域，提供了一种功率MOSFET开关特性的动态测试方法及其相关设备。通过根据温度点集测试功率MOSFET器件的静态电气特性生成温度关联数据集，通过双脉冲测试方式根据温度关联数据集进行仿真测试获得瞬态波形数据集，并对瞬态波形数据集进行损耗能量解构生成损耗能量时序队列，对温度关联数据集及损耗能量时序队列进行热电耦合的趋势变化分析生成器件性能数据，根据性能等高面格式对器件性能数据进行功率转换效率计算及边界探索生成器件性能图谱数据。本申请通提取温度依赖参数，以双脉冲仿真解构瞬态损耗并做热电耦合分析，获得映射效率等高面，实现对器件在全工况下性能与极限边界的准确预测。

　　天眼查资料显示，禾纳半导体（深圳）有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，禾纳半导体（深圳）有限公司参与招投标项目1次，财产线条，此外企业还拥有行政许可10个。

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